مطالعه ترابرد الکترونی و مکانیزم های پراکندگی در تک بلورهای gaas از نوع p در محدوده دمایی (400-100)درجه کلوین
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز
- author حسن خالقی
- adviser حسن بیدادی مصطفی شیرین پور
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1382
abstract
دراین پایان نامه خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل سه نمونه نیمرسانایی gaas هستند به ترتیب با عناصر cr، fe و co آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه gaas به وجود می آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در gaas ایجاد می کنند. در این کار تجربی رسانندگی الکتریکی، مقاومت ویژه، ضریب هال، چگالی حامل و تحرک پذیری حاملین در گستره دمایی (100-400) درجه کلوین برای هر سه نمونه مذکور مورد بررسی قرار گرفته است.
similar resources
ترابرد الکترونی و رسانندگی الکتریکی حاملین بار درتک بلورهای GaAs از نوع P در محدوده‌ی دمایی(400-100) درجه‌ی کلوین
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این...
full textمطالعه ترابرد الکترونی در نمونه هایی از بلورهای insb نوع n در محدوده دمایی (400- 90) درجه کلوین
نیمرسانای از نیمرساناهای گروه دارای کوچکترین گاف انرژی نسبت به نیمرساناهای دیگر می باشد. از این ترکیب می توان در سخت آشکار سازهای ، مادون قرمز در محدوده طول موجی 10 - 5 میکرون وهمچنین به عنوان گوس متر برای اندازه گیری شدت میدان مغناطیسی استفاده نمود. با توجه به کوچکی گاف انرژی یک برهمکنش قوی بین حالتهای باند هدایت و حالتهای باند ظرفیت ایجاد می شود که نتیجه آن غیر سهمی بودن باند های انرژی است. پ...
15 صفحه اولبررسی مکانیسم های پراکندگی در تک بلورهای insb نوع p در محدوده دمایی 350-100 درجه کلوین
چکیده ندارد.
15 صفحه اولتهیه ی لایه های نازک نانوساختار سلنید قلع (snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی ترابرد الکترونی آن ها در محدوده ی دمایی 120-400 کلوین
سلنید قلع (snse) یکی از نیم رساناهای iv-vi است. این نیم رساناها مدت بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی نظیرشان در اپتو الکترونیک مانند دیود های نور گسیل، دیود های لیزری، کلید زنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. برای تهیه فیلم های سلنید قلع با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیایی، رونهشتی باریکه مولکولی، الکتروشیمیایی، تبخیر و کندوپاش استفاده می...
مطالعه تحرک پذیری حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Co مورد استفاده در سلول های خورشیدی شاتلهای فضایی
گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...
full textرسانندگی الکتریکی حاملین بار در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Co مورد استفاده در سلول های خورشیدی و آشکارسازهای فیبر نوری
گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023